9月10日，总投资5.5亿元的纵慧芯光高端光通讯芯片项目在武进国家高新区竣工投产，该项目致力于高端化合物半导体芯片的研发与制造，将为区域集成电路产业补链强基、抢占高端赛道注入新动能。区领导薛晔、冯旭江、叶青出席仪式。高新区相关领导参加活动。

纵慧芯光作为国内VCSEL芯片领域领军企业，自2018年落户武进国家高新区以来，深耕高端化合物半导体芯片领域，以先进VCSEL芯片为核心，构建起全产业链、自主知识产权的研发及量产能力。其产品覆盖机器感知、智慧交通、光通信、智能制造等领域，累计出货超5亿颗，并保持现场零失效的卓越质量纪录。目前，纵慧芯光在国内市场占有率稳居首位，同时也是全球仅有的两家同时实现在智能手机和汽车领域VCSEL芯片规模量产与稳定供货的企业之一。

此次新投产项目占地40亩、建筑面积2.8万平方米，全面达产后将形成砷化镓和磷化铟芯片规模化生产能力，进一步夯实产业链自主可控、安全可靠基础。

近年来，武进国家高新区聚焦化合物半导体细分领域，围绕车规级芯片、高端射频芯片、光电芯片、功率半导体、半导体装备等重点方向，已集聚纵慧芯光、承芯半导体、芯砺智能、臻晶半导体、圣创半导体等近50个产业链项目，形成从衬底材料到封装应用的完整链条。同时，园区加强与国内知名大院大所和头部机构的合作协同，先后建设了龙城芯谷、宽禁带国家工程中心常州分中心、武高新—常州大学化合物半导体创新联合体、东南大学数字感知平台等一批高能级载体平台，连续三年举办半导体产业大会，持续完善产业创新生态，为集成电路产业高质量发展、打造新质生产力提供有力支撑。