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总投资5.5亿元 纵慧芯光高端光通讯芯片项目投产
发布日期: 2025-09-11    来源:武进日报  浏览次数:  字号:〖大 中 小〗
 

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9月10日上午,总投资5.5亿元的纵慧芯光高端光通讯芯片项目在武进国家高新区竣工投产。该项目致力于高端化合物半导体芯片的研发与制造,将为区域集成电路产业补链强基、抢占高端赛道注入新动能。区领导薛晔、冯旭江、叶青参加活动。

常州纵慧芯光半导体科技有限公司作为国内VCSEL芯片领域领军企业,自2018年落户武高新以来,深耕高端化合物半导体芯片领域,以先进VCSEL芯片为核心,构建起全产业链、自主知识产权的研发及量产能力。其产品覆盖机器感知、智慧交通、光通信、智能制造等领域,累计出货超5亿颗,并保持现场零失效的卓越质量纪录。目前,纵慧芯光在国内市场占有率稳居首位,同时也是全球仅有的两家同时实现在智能手机和汽车领域VCSEL芯片规模量产与稳定供货的企业之一。此次新投产项目占地40亩,建筑面积2.8万平方米,全面达产后将形成砷化镓和磷化铟芯片规模化生产能力,进一步夯实产业链自主可控、安全可靠基础。

近年来,武高新聚焦化合物半导体细分领域,围绕车规级芯片、高端射频芯片、光电芯片、功率半导体、半导体装备等重点方向,已集聚纵慧芯光、承芯半导体、芯砺智能等近50个产业链项目,形成从衬底材料到封装应用的完整链条。同时,园区加强与国内知名大院大所和头部机构的合作协同,先后建设了龙城芯谷、武进国家高新区—常州大学化合物半导体创新联合体等一批高能级载体平台,持续完善产业创新生态,为集成电路产业高质量发展、打造新质生产力提供有力支撑。

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