纵慧芯光半导体芯片制造项目

2024-05-22

位于武进国家高新区的纵慧芯光半导体芯片制造项目是省重大项目,总投资5.5亿元,用地40亩,新建生产用房及辅助用房面积约2.8万平方米。目前,项目已开工建设,达产后将形成年产3英寸砷化镓芯片和3英寸磷化铟芯片合计5000万颗的生产能力。