武进国家高新区集成电路产业政策实施办法

第一章  总则

第一条 为推动武进区集成电路产业发展，贯彻落实《国家集成电路产业发展推进纲要》等文件精神，特制定本政策实施办法。

第二条 成立武进区集成电路产业发展工作领导小组（简称领导小组），负责整合调动各方面资源，做好产业发展顶层设计，统筹协调并解决重大问题，领导小组组长由武进区政府主要领导担任。并行设立武进区集成电路产业发展专家委员会，提供决策咨询、政策研究和评估。

第三条 本实施办法所涉政策适用于在武进国家高新区登记、注册，具有独立法人或中央企业、普通高校二级法人资格，从事集成电路设计、制造、封测、材料等研发、生产、运营并经武进国家高新区管委会认定的各类企事业单位和组织。

第二章  金融支持政策

第四条 成立规模不低于50亿元的集成电路产业投资基金，基金采取市场化运作。

1、作为母基金，引导社会资本、产业资本和金融资本等投向集成电路产业；

2、直接投资，重点支持成长性和市场前景好、带动作用大、示范效应强的产业化项目（企业）及关键技术、公共技术平台建设等重大项目；

3、对外并购，收购或部分收购境外具有一定规模、创新能力强的企业，引进其较成熟的研发成果到常州产业化。

第五条  鼓励各类企事业单位在本地设立集成电路产业基金。对规模超过1亿元且业绩明显的集成电路产业基金，在存续期间对受委托的投资基金管理机构，最高按其实际投资本地集成电路企业资金的10%给予奖励，每年总额不超过500万元，连续支持不超过3年。

第三章  人才支持政策

第六条 加大各类集成电路高端人才引进力度，鼓励集成电路产业高层次人才到常州集成电路企业（单位）工作，在贯彻落实“金梧桐计划”相关政策的基础上向集成电路人才予以倾斜，对企业引进的高层次人才予以落户奖励和购房补贴，对企业引进的高层次外国专家和项目匹配一定的资金予以奖励和资助。

第七条 支持本地高等院校增设本科及以上的集成电路相关专业，对开班人数不低于30人的院校一次性给予50万元补助。支持本地院校建设EDA等专业技术或服务平台，对采购相关设备及软件给予20%的资助，每家不超过200万元。

第四章  研发支持政策

第八条 对获得国家科技重大专项的单位，最高按立项当年国家给予扶持资金的5%择优予以奖励，总额不超过500万元。对当年获得国家技术发明奖、国家科技进步奖的企业和个人（团队），按国家、省奖励额度的50%给予奖励。

第九条 对工程流片（含MPW）的设计企业，最高按照该款产品首轮流片（含IP授权、掩模制版）费用的50%给予支持，普通产品支持总额不超过300万元，工艺制程达到40nm及以下产品支持总额不超过500万元，工艺制程达到28nm及以下产品支持总额不超过800万元，单个企业每年支持总额最高不超过1000万元。

第十条 支持本地集成电路企业（单位）购买 IP（IP 提供商或者 FoundryIP模块）开展高端芯片研发，给予IP购买直接费用50%的补助，单个企业每年补助总额不超过300 万元。支持本地集成电路设计企业购买EDA设计软件及测试仿真设备，对采购相关设备及软件给予20%的资助，单个企业每年补助总额不超过200万元。

第十一条 鼓励第三方 IC 设计平台IP复用、共享设计工具软件或测试与分析，给予其实际费用 50%的补助，单个企业补助总额不超过 200万元。对新建专业技术或综合科技服务平台，按照项目技术和设备投资的10%给予资助，每家资助最高不超过100万元。对公共服务平台（机构）根据服务中小企业的成果和业绩给予资助，每家资助最高不超过100万元。

第十二条 每年重点支持10个拥有自主知识产权、市场前景好的优秀集成电路产业项目，按照项目已投入的10%给予支持，最高不超过300万元。

第五章  规模奖励政策

第十三条 鼓励集成电路企业做大做强。

1、对行业内具有龙头地位或明显技术优势，注册3年内在本地实际投资额不低于2000万元的集成电路设计企业，最高按其实际投资额的10%进行分档补助，总额不超过500万元。

2、对注册3年内在本地实际投资额不低于1亿元的集成电路生产企业，最高按其实际投资额的5%进行分档补助，总额不超过1000万元，分两年补助到位。

3、对连续2年应税销售收入正增长且上年首次达到1亿元、5亿元、10亿元的集成电路设计企业，分别给予最高不超过200万元、300万元、500万元的一次性奖励。

4、对连续2年应税销售收入正增长且上年首次达到10亿元、50亿元、100亿元的集成电路生产企业，分别给予最高不超过100万元、300万元、500万元的一次性奖励。

上述本地龙头企业、成长性企业奖励条款按就高原则，同一企业不重复享受。

第十四条 支持本地集成电路企业（单位）参加国内外顶级专业展销会、订货会、博览会等，对符合条件的企业给予展位费、特装搭建、公关布展、展馆网络等费用60%的补助，最高不超过15万元。

第六章  科技创新政策

第十五条 对首次通过“国家规划布局内的集成电路设计企业”备案的，给予最高不超过50万元的一次性奖励。

第十六条 鼓励企业积极申报高新技术企业、省民营科技企业、国家知识产权优势企业，鼓励企业积极申报国家重点新产品、省高品，对获得相应认定的予以认定奖励。

第十七条 对认定为国家、省、市级研发机构、国家级技术转移机构等科技创新服务机构的，给予相应的认定奖励；对成功申报国家级、省级、市级产业技术创新联盟，分别给予奖励。

第十八条 进一步加强知识产权工作，支持本地集成电路相关企业依法申请国内外知识产权，对符合有关规定的，给予相应知识产权奖励支持。

第七章  落户奖励政策

第十九条 鼓励集成电路规模企业落户武进国家高新区，对落户在武进国家高新区范围内的集成电路企业，在厂房租赁和地方财政贡献方面给予大力支持。

第八章  附则

第二十条 本实施办法由武进国家高新区管委会负责解释并制定细则明确人才奖励、科技创新奖励及落户奖励相关具体政策。

第二十一条 本实施办法中所涉及的奖项与武进国家高新区管委会进区协议条款中已包含或涉及相同内容的不重复享受。本实施办法奖励政策与省、市、区其它优惠政策已包含或涉及相同的内容按就高不重复的原则执行。

第二十二条 本实施办法自发布之日起执行，有效期三年。有效期结束后，将根据政策执行评估情况予以修订、完善。